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產(chǎn)品分類(lèi)

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STMicroelectronics STB12NM50T4 MOSFET

訂 貨 號(hào):STB12NM50T4      品牌:Tronics

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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STMicroelectronics STB12NM50T4 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

The MDmesh? is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH?horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

High dv/dt and avalanche capabilities
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Tight process control and high manufacturing yields
Low gate input resistance
Applications
Switching application


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 12 A
封裝類(lèi)型 D2PAK
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 350 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 160 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
寬度 9.35mm
典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 10.4mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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