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訂 貨 號(hào):SIHU2N80AE-GE3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 ipak ( to -251 )封裝類型。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容(吻)
減少切換和傳導(dǎo)損耗
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級(jí)( uis )
集成齊納二極管 esd 保護(hù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2.9 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | IPAK (TO-251) |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.5. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 2 → 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |