STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 設(shè)備是使用 ST 的 Advanced 和創(chuàng)新的第 2 代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該設(shè)備的單位面積具有極低的接通電阻和非常好的切換性能。切換損耗的變化幾乎與接點溫度無關(guān)。它可用于開關(guān)模式電源,直流 - 直流轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電動機控制。
非常快速且堅固的本征主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
非常高的工作接點溫度能力
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 60 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | HiP247 |
安裝類型 | 通孔 |