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當 N 通道不適合您的設(shè)計時，P 通道 MOSFET 將會特別適合您的設(shè)計，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 通道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

12 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增強模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導
靜電放電 (ESD) 保護 1.5 kV HBM
漏-源通態(tài)電阻 RDSon = 59 m?
非常低的柵-源閾值電壓 VGS(th) = -0.68 V，適合便攜式應(yīng)用