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onsemi 5LN01C-TB-E MOSFET

訂 貨 號:5LN01C-TB-E      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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onsemi 5LN01C-TB-E MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET,50V,ON Semiconductor

MOSFET 晶體管,ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 mA
最大漏源電壓 50 V
封裝類型 CP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 20 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.3V
最大功率耗散 250 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -10 V、+10 V
寬度 1.5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 2.9mm
典型柵極電荷@Vgs 1.57 nC @ 10 V
暫無

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