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產(chǎn)品分類

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威世 SIHP21N60EF-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHP21N60EF-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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威世 SIHP21N60EF-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay MOSFET

Vishay 通孔安裝 N 溝道 TO-220AB-3 MOSFET 是一款新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 600V ,最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 176mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 227W ,連續(xù)漏極電流為 21A。其驅(qū)動電壓為 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢

?快速主體二極管 MOSFET ,采用 E 系列技術(shù)
? 無鹵素
?由于 Qrr 較低,因此提高了堅(jiān)固性
?低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
?低輸入電容 (Ciss)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?減少 TRR , Qrr 和 IRRM
?超低柵極電荷 (Qg)

應(yīng)用

?發(fā)光二極管 (LED)
? 3 級變頻器
?交流 / 直流橋接
? ATX 電源
?高強(qiáng)度照明 (HID)
? LLC
?相移橋 (ZVS)
?功率因數(shù)校正電源 (PFC)
?服務(wù)器和電信電源
?太陽能 PV 變頻器

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? UIS 測試


暫無

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