Taiwan Semiconductor TSM60N380CI C0G MOSFET
產品詳細信息
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
11 A |
| 最大漏源電壓 |
600 V |
| 封裝類型 |
ITO-220S |
| 安裝類型 |
通孔 |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
380 mΩ |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 最小柵閾值電壓 |
2V |
| 最大功率耗散 |
33 W |
| 晶體管配置 |
單 |
| 最大柵源電壓 |
±30 V |
| 典型柵極電荷@Vgs |
20.5 nC @ 10 V |
| 長度 |
10mm |
| 最高工作溫度 |
+150 °C |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
| 寬度 |
4.6mm |
