Wolfspeed 推出 Advanced SIC MOSFET 技術、擴展了其在 SiC 技術方面的領先地位。設計人員可以通過從基于硅的三層拓撲轉變為更簡單的兩層拓撲來減少組件數量、這是由于交換性能的提高而得以實現的。此設備具有低接通電阻和低柵極電荷、非常適合三相、橋接式 PFC 拓撲以及逆變器和充電器應用。下載我們的 LTSPICE 模型 GET 入門或單擊此處以請求更多信息。
在整個工作溫度范圍內、最小值為 1200V VBR
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復（反向恢復電荷）
易于并行且易于驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 75 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.7V |
| 最大功率耗散 | 113.6 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -8 V 、 19 V |
| 寬度 | 5.21mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | SiC |
| 典型柵極電荷@Vgs | 54 常閉 @ 4/15V |
| 長度 | 16.13mm |
