DiodesZetex 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET,旨在最大限度地減小導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) ,同時保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理應(yīng)用的理想之選。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關(guān),確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應(yīng)用工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C。
最大漏極-源極電壓 60 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 導(dǎo)通電阻低 柵極閾值電壓低 提供柵極 ESD 保護(hù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12.1 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.012 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |