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產(chǎn)品分類

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Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIRC06DP-T1-GE3      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
具有單片肖特基二極管的 SkyFET?


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 60 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 4 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大功率耗散 50 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -16 V,+20 V
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 5mm
長度 5.99mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 10 V 時,38.5 常閉
暫無

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