Vishay Siliconix 維護半導體技術的可靠性數據，封裝可靠性代表所有合格位置的復合。
TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
完全無鉛 (Pb) 器件
經優化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了與切換相關的功耗
體積比 D2PAK (TO-263) 小 50%
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 299 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PowerPak 8 x 8L |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0018 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
