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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IPB017N10N5ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPB017N10N5ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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英飛凌 IPB017N10N5ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IPB017N10N5 是 optiMOS 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 7 引腳封裝， RDS (接通) 低 22%。它專門設(shè)計(jì)用于電信塊中的同步整流，包括 OR-ING ，熱插拔和電池保護(hù)，以及用于服務(wù)器電源應(yīng)用。

經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達(dá) 44%


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 180 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 7 + Tab
最大漏源電阻值 2.2 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.8V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
長(zhǎng)度 10.31mm
寬度 11.05mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 168 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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