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Nexperia PSMN1R5-50YLHX MOSFET

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Nexperia PSMN1R5-50YLHX MOSFET
產品詳細信息

Nexperia MOSFET 采用 LFPAK56E 封裝,具有 200 A 連續電流,邏輯電平柵極驅動器和 N 通道增強模式。ASFET 特別適用于需要強大雪崩能力和線性模式的 36 V 電池供電應用

LFPAK56E 低應力裸露式引線框,可提供極佳的可靠性,最佳焊接和易于焊接點檢驗
銅夾和焊接模具連接,具有低封裝電感和電阻,高 ID (最大) 額定值
額定溫度達到 175 °C
雪崩等級, 100% 測試
低 QG , QGD 和 QOSS 可實現高效率,尤其是在較高的切換頻率下
超快切換,帶軟主體二極管恢復,用于低尖峰和振鈴,推薦用于低 EMI 設計


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 200 A
最大漏源電壓 50 V
封裝類型 LFPAK56E
安裝類型 表面貼裝
暫無

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