Infineon AUIRF7343QTR 專門設計用于汽車應用,這些 HEXFET? 功率 MOSFET 采用雙 SO-8 封裝,利用最新處理技術,可實現每硅區域的極低接通電阻。這些符合汽車標準的 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 150°C 接點工作溫度、快速切換速度和改進的重復浪涌額定值。
高級平面技術,
超低接通電阻,
邏輯電平門
驅動,雙 N 和 P 通道 MOSFET,
表面安裝,
提供膠帶和卷裝,工作溫度
為
150°C,無鉛,符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 4A |
| 最大漏源電壓 | 55v |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
