Vishay SiSS54DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息
Vishay N 溝道 30-V (D-S) MOSFET。
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
185.6 A |
| 最大漏源電壓 |
30 V |
| 封裝類型 |
PowerPak 1212-8SH |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
8 |
| 最大漏源電阻值 |
0.00106 Ω |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
2.2V |
| 晶體管材料 |
Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
2 |