此 MOSFET 設(shè)計旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
0.6mm 薄型 — 特別適合薄型應(yīng)用
印刷電路板印跡為 4mm2
低柵極閾值電壓
快速切換速度
完全無鉛
無鹵素和無銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
電池管理應(yīng)用
電源管理功能
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12.2(穩(wěn)定)A,9.8(狀態(tài))A |
最大漏源電壓 | 12 V |
封裝類型 | U-DFN2020 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 12.5 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.3V |
最大功率耗散 | 1.7 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±8 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 2.05mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 2.05mm |
典型柵極電荷@Vgs | 23.4 nC @ 8 V |