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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB033N10N5LFATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 是一種革命性的方法、可避免通態電阻( r ds ( on ))與線性模式功能之間的取舍、即在增強模式 mosfet 的飽和區域內運行。它提供最先進的溝道 mosfet r ds ( on )以及經典平面 mosfet 的寬安全工作區域。

低 r ds ( on )和寬安全工作區域的組合 ( soa )
高最大脈沖電流
高連續脈沖電流
堅固的線性模式操作
低傳導損耗
更高的浪涌電流可實現更快的啟動和更短的啟動 時間


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 170 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 Pg- TO263
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.0033 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.1V
每片芯片元件數目 2
暫無

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