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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB033N10N5LFATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻( r ds ( on ))與線性模式功能之間的取舍、即在增強(qiáng)模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。它提供最先進(jìn)的溝道 mosfet r ds ( on )以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。

低 r ds ( on )和寬安全工作區(qū)域的組合 ( soa )
高最大脈沖電流
高連續(xù)脈沖電流
堅固的線性模式操作
低傳導(dǎo)損耗
更高的浪涌電流可實(shí)現(xiàn)更快的啟動和更短的啟動 時間


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 170 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 Pg- TO263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.0033 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.1V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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