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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Infineon IQE065N10NM5CGATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IQE065N10NM5CGATMA1      品牌：GAT

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IQE065N10NM5CGATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

英飛凌 PQFN 3.3x3.3 封裝的 OptiMOSTM 5 100 V 源極底置功能具有 100 V 電壓和 6.5 m Ω 的低導(dǎo)通電阻。它具有多種優(yōu)勢(shì)，如熱能力增強(qiáng)、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷卻要求和有效的熱管理布局都是系統(tǒng)級(jí)的優(yōu)勢(shì)。

印刷電路板損耗降低
可實(shí)現(xiàn)最高功率密度和性能


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 85 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類(lèi)型 PQFN
安裝類(lèi)型 表面貼裝
暫無(wú)

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