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產(chǎn)品分類

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+比較

onsemi NVMFS6D1N08HT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFS6D1N08HT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFS6D1N08HT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFSW 6D1N08H - 可濕性側(cè)翼選件,用于增強(qiáng)光學(xué)檢查
支持 PPAP
這些器件不含鉛、無鹵素 / 不含 BFR 、不含鈹
典型應(yīng)用
同步整流
交流 / 直流和直流 / 直流電源
交流 / 直流適配器 (USB PD) SR
負(fù)載開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 89 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 5.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 104 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.1mm
暫無

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