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訂 貨 號(hào):NVMFD5C446NT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。適用于汽車應(yīng)用。
特點(diǎn)
低接通電阻
高電流容量
支持 PPAP
NVMFD5C446NWF - 可潤(rùn)側(cè)翼選件
優(yōu)點(diǎn)
最低傳導(dǎo)損耗
可靠負(fù)載性能
防止電壓過應(yīng)力故障
適用于汽車應(yīng)用
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
應(yīng)用
電磁閥驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
最終產(chǎn)品
汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制器
防抱死制動(dòng)系統(tǒng)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 127 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 2.9 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
最小柵閾值電壓 | 2.5V |
最大功率耗散 | 89 W |
最大柵源電壓 | ±20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 6.1mm |
長(zhǎng)度 | 5.1mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 38 nC @ 10 V |