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產(chǎn)品分類

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+比較

onsemi NVMFD5C446NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFD5C446NT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFD5C446NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。適用于汽車應(yīng)用。

特點(diǎn)
低接通電阻
高電流容量

支持 PPAP
NVMFD5C446NWF - 可潤(rùn)側(cè)翼選件

優(yōu)點(diǎn)
最低傳導(dǎo)損耗
可靠負(fù)載性能
防止電壓過應(yīng)力故障
適用于汽車應(yīng)用
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
應(yīng)用
電磁閥驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
最終產(chǎn)品
汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制器
防抱死制動(dòng)系統(tǒng)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 127 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 2.9 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 89 W
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 6.1mm
長(zhǎng)度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 38 nC @ 10 V
暫無

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