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STMicroelectronics STB35N60DM2 MOSFET

訂 貨 號：STB35N60DM2      品牌：Tronics

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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STMicroelectronics STB35N60DM2 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進的二極管反向恢復時間，可提高效率，此系列經(jīng)優(yōu)化可用于全橋相移 ZVS 拓撲。

高 dV/dt 能力，可提高系統(tǒng)可靠性
符合 AEC-Q101

MOSFET 晶體管，STMicroelectronics


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 28 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 110 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 210 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 10.4mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長度 9.35mm
典型柵極電荷@Vgs 54 nC @ 10 V
暫無

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