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ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產，該工藝包含屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。

有效減少傳導損耗
有效減少驅動器損耗
降低切換噪聲/EMI