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Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB30N60AEL-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 MOSFET
產品詳細信息

FEATURES
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 28 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3 + Tab
最大漏源電阻值 120 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 250 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數目 1
寬度 4.83mm
晶體管材料 Si
長度 10.67mm
典型柵極電荷@Vgs 60 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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