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Taiwan Semiconductor TSM080N03PQ56 MOSFET

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Taiwan Semiconductor TSM080N03PQ56 MOSFET
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Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶體管表示“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

低 rds (接通)可有效減少 低柵極電荷、用于快速電源切換 經過 100% uis 和 rg 測試


屬性 數值
最大連續漏極電流 73 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PDFN56
引腳數目 8
最大漏源電阻值 8 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
晶體管材料
暫無

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