Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術與先進 Advanced 直接封裝平臺結合起來，在一個只占用 so-8 和 0.7 毫米尺寸的封裝內，可實現最低的導通電阻。該封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術等中使用的現有布局幾何結構兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高電源系統中的熱傳遞、從而將之前最佳的熱阻提高 80% 。
特別適用于 cpu 內核直流 - 直流轉換器
低傳導和切換損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 160 A |
| 最大漏源電壓 | 25 V |
| 封裝類型 | DirectFET MX |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0032 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.35V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
