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Vishay SIHW21N80AE-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHW21N80AE-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SIHW21N80AE-GE3 MOSFET
產品詳細信息

E 系列功率 MOSFET 。

低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容( CO ( ER ))
減少切換和傳導損耗
應用
服務器和電信電源
開關模式電源 (SMPS)
功率因數校正電源 (PFC)


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 17.4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 TO-247AD
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 235 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 32 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
典型柵極電荷@Vgs 48 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 16.26mm
寬度 5.31mm
每片芯片元件數目 1
暫無

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