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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Toshiba TK65G10N1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：TK65G10N1      品牌：東芝_Toshiba

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Toshiba TK65G10N1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

低漏-源通態(tài)電阻：RDS（接通）= 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增強(qiáng)模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 136 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 4.5mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 156 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
寬度 10.27mm
長(zhǎng)度 10.35mm
暫無

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