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Toshiba TK65G10N1 MOSFET

訂 貨 號:TK65G10N1      品牌:東芝_Toshiba

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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Toshiba TK65G10N1 MOSFET
產品詳細信息

低漏-源通態電阻:RDS(接通)= 3.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
增強模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 136 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 4.5mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 156 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
寬度 10.27mm
長度 10.35mm
暫無

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