Taiwan Semiconductor N 通道 MOSFET 是 3 引腳增強通道模式，柵極閾值電壓為 4V。
超接合技術
小品質因數確保高性能
高堅固性性能
高換向性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | ITO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 380 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 33 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 長度 | 10mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18.8 nC @ 10 V |
| 寬度 | 4.7mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
