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產(chǎn)品分類

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Vishay SI1034CX-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SI1034CX-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SI1034CX-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝雙 N 溝道 MOSFET 具有 20V 的漏 - 源電壓。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 396mohm。它的最大額定功率為 220mW。 MOSFET 具有 610mA 的連續(xù)漏極電流。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?柵極源 ESD 保護(hù): 1000V
? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?電池供電設(shè)備
?驅(qū)動(dòng)器:繼電器,電磁閥,燈,錘子,顯示器, 記憶
?便攜式設(shè)備的負(fù)載 / 電源切換
?電源轉(zhuǎn)換器電路

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經(jīng)過 RG 測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 0.5 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SC-89
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 0.396 O
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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