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onsemi NTB095N65S3HF MOSFET

訂 貨 號:NTB095N65S3HF      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTB095N65S3HF MOSFET
產品詳細信息

超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結點 (SJ) MOSFET這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統,以實現小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優化反向恢復性能,可消除額外元件,提高系統可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低門電荷(典型值) QG =66 NC )
低有效輸出電容(典型 余弦 (EFF.)=569 pF)
極佳的主體二極管性能(低 Qrr、堅固的主體二極管)
優化的電容
典型值 RDS(on) =80 mΩ 較高的系統可靠性(在低溫操作下)
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應用
電信
云系統
工業
最終產品
電信電源
服務器電源
EV 充電器
太陽能/UPS


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 36 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 95 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 272 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數目 1
寬度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 66 nC @ 10 V
長度 10.67mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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