超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結點 (SJ) MOSFET這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統,以實現小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優化反向恢復性能,可消除額外元件,提高系統可靠性。
TJ = 150 °C 時為 700 V
超低門電荷(典型值) QG =66 NC )
低有效輸出電容(典型 余弦 (EFF.)=569 pF)
極佳的主體二極管性能(低 Qrr、堅固的主體二極管)
優化的電容
典型值 RDS(on) =80 mΩ 較高的系統可靠性(在低溫操作下)
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應用
電信
云系統
工業
最終產品
電信電源
服務器電源
EV 充電器
太陽能/UPS
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 36 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 95 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 272 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
每片芯片元件數目 | 1 |
寬度 | 9.65mm |
典型柵極電荷@Vgs | 66 nC @ 10 V |
長度 | 10.67mm |
最高工作溫度 | +150 °C |