Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶體管表示“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。
低 rds （接通）可有效減少 低柵極電荷、用于快速電源切換 經過 100% uis 和 rg 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PDFN56 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 22 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 晶體管材料 | 硅 |
