此 n 通道 mosfet 采用 on 半導體 Advanced ? 工藝生產。硅和雙 cool ?封裝技術的先進技術相結合，可提供最低 rds （接通），同時通過極低的接點到環境熱阻保持極佳的切換性能。
TOP I是 標準 5x6mm 引腳外露的
通過封裝的頂部和底部提高散熱 TOP
超低 Rds(on)
減少傳導損耗
降低電容和封裝電感
減少切換損耗
應用
交流 - 直流和直流 - 直流電源中的同步整流器
電動機開關
負載開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 313 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 850 μΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 167 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 143 @ 10 v 常閉 |
| 長度 | 5.9mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
