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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET

訂貨號：IPB60R180P7ATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET

產(chǎn)品詳細信息

the Infineon 600V coolmos ? P7 超結(jié)（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ? P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設(shè)計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg ) 確保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 堅固性（ hbm 2 類）
集成柵極電阻器 r g
堅固的體二極管
廣泛的產(chǎn)品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標(biāo)準(zhǔn)級和工業(yè)級部件

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	18 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	180 米Ω
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

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