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意法半導(dǎo)體 STI28N60M2 MOSFET

訂 貨 號:STI28N60M2      品牌:意法半導(dǎo)體_ST

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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意法半導(dǎo)體 STI28N60M2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這些設(shè)備是采用 MDmesh? M2 技術(shù)開發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。得益于其條狀布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu),這些設(shè)備具有低接通電阻和優(yōu)化的切換特點,非常適合最嚴(yán)苛的高效率轉(zhuǎn)換器。

極低柵極電荷
極佳的輸出電容 (COSS) 曲線
經(jīng)過 100% 雪崩測試
齊納保護(hù)
極低 Qg 可提高效率
為諧振電源(LLC 轉(zhuǎn)換器)優(yōu)化的柵極電荷和電容曲線


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 22 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 I2PAK
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 150 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 170 W
晶體管配置
最大柵源電壓 +25 V
寬度 4.6mm
長度 10.4mm
典型柵極電荷@Vgs 36 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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