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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Nexperia PMCM6501VPEZ MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMCM6501VPEZ      品牌：

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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Nexperia PMCM6501VPEZ MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

12 V，P 溝道 Trench MOSFET，P 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用 6 凸點(diǎn)晶圓級(jí)芯片封裝 (WLCSP)，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
超小型封裝：0.98 ′ 1.48 ′ 0.35 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
電池開關(guān)
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -8.2 A
最大漏源電壓 -12 V
封裝類型 WLCSP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 2
最大漏源電阻值 60 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -0.9V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 12500 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 8 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 1.45mm
寬度 0.95mm
每片芯片元件數(shù)目 3
典型柵極電荷@Vgs 19.6 nC
暫無

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