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Nexperia PMCM6501VPEZ MOSFET

訂 貨 號:PMCM6501VPEZ      品牌:

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Nexperia PMCM6501VPEZ MOSFET
產品詳細信息

當 N 溝道不適合您的設計時,P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設計,我們廣泛的 MOSFET 產品目錄還包括許多 P 溝道設備系列,基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V,采用中低功率封裝,提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

12 V,P 溝道 Trench MOSFET,P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用 6 凸點晶圓級芯片封裝 (WLCSP),采用 Trench MOSFET 技術。

低閾值電壓
超小型封裝:0.98 1.48 0.35 mm
Trench MOSFET 技術
靜電放電 (ESD) 保護:> 2 kV HBM
電池開關
高速線路驅動器
低側負載開關
開關電路


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -8.2 A
最大漏源電壓 -12 V
封裝類型 WLCSP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 2
最大漏源電阻值 60 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 -0.9V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 12500 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 8 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 1.45mm
寬度 0.95mm
每片芯片元件數(shù)目 3
典型柵極電荷@Vgs 19.6 nC
暫無

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