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當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

12 V，P 溝道 Trench MOSFET，P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用 6 凸點(diǎn)晶圓級(jí)芯片封裝 (WLCSP)，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
超小型封裝：0.98 ′ 1.48 ′ 0.35 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
電池開(kāi)關(guān)
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路