當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):PMCM6501VPEZ 品牌:
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí),P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì),我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列,基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V,采用中低功率封裝,提供我們熟悉的高效率和高可靠性。
12 V,P 溝道 Trench MOSFET,P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用 6 凸點(diǎn)晶圓級(jí)芯片封裝 (WLCSP),采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
低閾值電壓
超小型封裝:0.98 ′ 1.48 ′ 0.35 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
電池開(kāi)關(guān)
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | -8.2 A |
最大漏源電壓 | -12 V |
封裝類(lèi)型 | WLCSP |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 2 |
最大漏源電阻值 | 60 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | -0.9V |
最小柵閾值電壓 | -0.4V |
最大功率耗散 | 12500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 8 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 1.45mm |
寬度 | 0.95mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 3 |
典型柵極電荷@Vgs | 19.6 nC |