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臺灣積體電路 TSM60NB260CI C0G MOSFET

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臺灣積體電路 TSM60NB260CI C0G MOSFET
產品詳細信息

Taiwan Semiconductor 600V , 13A , 0。26Ω Ω , 3 引腳, N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強溝道模式。它通常用于電源和交流 / 直流 LED 照明應用。

超接合技術
小品質因數確保高性能
高堅固性性能
高換向性能
經過 100% UIL 測試
無鉛電鍍
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 IN
符合 WEEE 2002/96/EC
無鹵素,符合 IEC 61249-2-21 標準
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
32.1W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 ITO-220S
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 260 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 32.1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
長度 10mm
寬度 4.6mm
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 10 V
暫無

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