Vishay MOSFET 是 N 溝道， HVMDIP-4 封裝是一種新時代的產品，漏極源電壓為 200V ，最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 800mohm 的漏 - 源電阻。MOSFET 的最大功耗為 1W。 此產品經過優化，可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。
?動態 dV/dt 額定值
?易于并聯
? 端部可堆疊
?快速切換
?用于自動插入
?無鉛 (Pb) 組件
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?重復耐雪崩等級
?簡單的驅動器要求
?電池充電器
? 變頻器
? 電源
?開關模式電源 (SMPS)
