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onsemi NTPF190N65S3HF MOSFET

訂 貨 號:NTPF190N65S3HF      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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onsemi NTPF190N65S3HF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結(jié)點 (SJ) MOSFET這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能,可消除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷(典型 Qg = 35 nC)
低有效輸出電容(典型 COSS (EFF.)=467 pF )
低有效輸出電容(典型 COSS (EFF.)=467 pF )
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (on) =161M Ω
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
計算
消費品
工業(yè)
最終產(chǎn)品
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務(wù)器
LED 照明/鎮(zhèn)流器
適配器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 190 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 36 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.9mm
長度 10.63mm
典型柵極電荷@Vgs 34 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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