超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結(jié)點 (SJ) MOSFET這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能,可消除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。
TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷(典型 Qg = 35 nC)
低有效輸出電容(典型 COSS (EFF.)=467 pF )
低有效輸出電容(典型 COSS (EFF.)=467 pF )
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (on) =161M Ω
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
計算
消費品
工業(yè)
最終產(chǎn)品
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務(wù)器
LED 照明/鎮(zhèn)流器
適配器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 190 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 36 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 4.9mm |
長度 | 10.63mm |
典型柵極電荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |