當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):NVMFD5C470NLT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。
體積小巧 (5 x 6 mm)
緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFD5C446NLWF ? 可潤側(cè)翼選件
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP
應(yīng)用
電磁閥驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制器
防抱死制動(dòng)系統(tǒng)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 36 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 17.8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 24 W |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 9 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 5.1mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
長度 | 6.1mm |