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Infineon IPB19DP10NMATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB19DP10NMATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB19DP10NMATMA1 MOSFET
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Infineon OptiMOS ? P 溝道 MOSFET D2PAK 100 V 封裝,是專為電池管理,負載開關和極性反接保護應用而設計的新技術。P 溝道設備的主要優點是降低了中,低功率應用中的設計復雜性。它可輕松連接到 MCU ,快速切換以及雪崩堅固性,使其適用于高質量要求苛刻的應用。它提供具有寬 RDS (接通) 范圍的正常電平,并且由于 Qg 低,可提高低負載時的效率。它可用于電池管理,工業自動化。

特別適用于高和低切換頻率
可耐受雪崩
工業標準印跡表面安裝封裝
堅固,可靠的性能
加強供應安全


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 13.8 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
暫無

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