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Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，漏極源電壓為 12V ，最大柵極源電壓為 10V。在 4.5V 的柵極源電壓下，漏極源電阻為 34mohm。它的最大功耗為 2.8W ，連續(xù)漏極電流為 4A。此晶體管的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 1.5V 和 4.5V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
?典型 ESD 性能 1500V

應(yīng)用

?移動(dòng)電話(huà)
? DSC
? GPS
?負(fù)載開(kāi)關(guān)
? MP3
?便攜式設(shè)備的 PA 開(kāi)關(guān)和電池開(kāi)關(guān)
?便攜式游戲機(jī)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC 61249-2-21
?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試