50 V,170 mA 雙 P 溝道 Trench MOSFET,雙 P 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用超小型和扁平引線 SOT666 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
ESD 保護(hù)達(dá) 1 kV
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | -0.17 A |
| 最大漏源電壓 | -50 V |
| 封裝類型 | SOT-666 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 13.5 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | -2.1V |
| 最小柵閾值電壓 | -1.1V |
| 最大功率耗散 | 1.09 W |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 1.7mm |
| 寬度 | 1.3mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.26 nC @ 2.5 V |