Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 80V ,最大柵極源電壓為 20V。在 10V 的柵極源電壓下,漏極 - 源電阻為 16.5mohm。它具有 1.56W 的功耗和 6.7A 的連續(xù)漏極電流。此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 6V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。
? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
?適配器開關(guān)
?負載開關(guān)
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 9.5 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | SO |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.022 O |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |