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onsemi ISL9V3040S3ST IGBT

訂 貨 號:ISL9V3040S3ST      品牌:意法半導體_ST

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onsemi ISL9V3040S3ST IGBT
產(chǎn)品詳細信息

分離式 IGBT,F(xiàn)airchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 21 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 450 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±14V
最大功率耗散 150 W
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
暫無

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