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IXYS IXYB82N120C3H1 IGBT

訂 貨 號(hào):IXYB82N120C3H1      品牌:艾賽思_IXYS

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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IXYS IXYB82N120C3H1 IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù),可降低熱電阻和能源損耗。 這些設(shè)備提供快速切換時(shí)間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有封裝。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達(dá)額定擊穿電壓
短路容量,確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和專有高電壓封裝

IGBT 分立元件和模塊,IXYS

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 164 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 1040 W
封裝類型 PLUS264
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
開關(guān)速度 50kHz
晶體管配置
尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm
暫無

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