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IXYS IXYN82N120C3H1 IGBT

訂貨號：IXYN82N120C3H1 品牌：艾賽思_IXYS

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IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術，可降低熱電阻和能源損耗。這些設備提供快速切換時間，具有低尾線電流，并提供各種工業(yè)標準和專有封裝。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓
短路容量，確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國際標準和專有高電壓封裝

IGBT 分立元件和模塊，IXYS

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數值
最大連續(xù)集電極電流	105 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	500 W
封裝類型	SOT-227B
安裝類型	表面貼裝
通道類型	N
引腳數目	4
開關速度	20 → 50kHz
晶體管配置	單
尺寸	38.2 x 25 x 9.6mm

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