Infineon 分離式 IGBT 晶體管提供各種技術，如 NPT、Trenchstop? 和 Fieldstop。它們可用于需要硬切換或軟切換的許多應用，包括工業驅動器、UPS、變頻器、家用電器和感應爐灶。一些器件包括反并聯二極管或單片集成二極管。
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 2 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 62 W |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 開關速度 | 1MHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 8.5 x 4.4 x 9.25mm |
