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這些設(shè)備是使用 Advanced 專利的溝渠門和現(xiàn)場停車結(jié)構(gòu)開發(fā)的 IGBT 。該設(shè)備是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了傳導(dǎo)和切換損耗之間的最佳折衷、以最大限度地提高任何變頻器的效率。此外、 VCE （ SAT ）溫度系數(shù)略微正極、參數(shù)分布非常緊、因此可實(shí)現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。

最大接點(diǎn)溫度： TJ= 175 °C
高速切換系列
最小化尾電流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
嚴(yán)格的參數(shù)分布
安全并聯(lián)
低熱阻
無鉛封裝