這些設備是使用 Advanced 專利的溝渠門和現場停車結構開發的 IGBT 。該設備是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了傳導和切換損耗之間的最佳折衷、以最大限度地提高任何變頻器的效率。此外、 VCE （ SAT ）溫度系數略微正極、參數分布非常緊、因此可實現更安全的并聯操作。
最大接點溫度： TJ= 175 °C
高速切換系列
最小化尾電流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
嚴格的參數分布
安全并聯
低熱阻
無鉛封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 40 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 168 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
