Infineon IGBT 晶體管具有 650 V 穿透電壓,晶體管最大結(jié)溫為 175°C。
在硬切式和諧振拓?fù)渲芯哂型愖罴训男?br>采用即插即用方式取代上一代的 IGBT
適用于太陽能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、焊接轉(zhuǎn)換器
中到高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 42 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 20V |
晶體管數(shù) | 1 |
最大功率耗散 | 125 W |
封裝類型 | TO-220-3 |
配置 | 單 |