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onsemi NXH100B120H3Q0PG IGBT

訂 貨 號:NXH100B120H3Q0PG      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NXH100B120H3Q0PG IGBT
產(chǎn)品詳細信息

ON Semiconductor 雙升壓電源模塊是包含雙升壓級的電源模塊。集成的場截止溝道 IGBT 和 SiC 二極管提供更低的傳導損耗和切換損耗,使設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和卓越的可靠性。

1200 V 超場截止 IGBT
低反向恢復(fù)和快速切換 SiC 二極管
1600 V 旁路和抗并聯(lián)二極管
低電感布局
可焊接引腳或壓配引腳
熱敏電阻選項,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料,不帶預(yù)應(yīng)用 TIM


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 61 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 186 W
晶體管數(shù) 2
封裝類型 箱 180BF (無鉛和無鹵化物) 壓配引腳
暫無

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